根据城乡规划管理有关规定，现对华进半导体封装先导技术研发中心有限公司建设年封装测试2500万颗半导体产品的先进封装与系统集成升级改造项目规划设计方案进行批前公示。
一、项目概况
项目位于新吴区运河西路以西、景贤路以北，建设单位为华进半导体封装先导技术研发中心有限公司。可建设用地面积约15817.6平方米，用地性质为生产研发用地，总建筑面积约1.99万平方米。建筑密度52.22%，1.4＜容积率＜2.5，绿地率10.3%，主要经济技术指标基本满足规划设计条件要求。
二、公示地点和时间
公示地点：
1、项目所在地现场；新安街道公示栏；分局公示栏；
2、无锡市自然资源和规划局网站（http://zrzy.wuxi.gov.cn/）；
公示时间：2020年1月21日——2020年2月5日。
三、联系方式和意见反馈
联系地点：无锡市自然资源和规划局新吴分局（新吴区龙山路9号）
邮政编码：214000 联系电话：81021509
电子邮箱：wxxqgh@163.com
公示期间，如有意见或建议，请反馈给我局（请注明本人身份、联系电话或地址）。
附：项目规划设计方案主要图纸（批前公示）
无锡市自然资源和规划局新吴分局
2020年1月20日
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